Equipamiento
El Centro de Nanofabricación cuenta con más de 500 m2 de área gris y ofrece servicios a grupos de investigación a nivel nacional e internacional (universidades, instituciones de investigación públicas y empresas privadas).
A su vez, consiste en una sala limpia de 250 m2 dividida en dos áreas:
- Una sala ISO-5/clase 100 de 60 m2 para sistemas de litografía (ópticos, de electrones y de iones) con una sala de química para acondicionamiento, desarrollo y caracterización.
- Una sala ISO-6/clase 1000 de 200 m2 dedicada al crecimiento de películas delgadas, recocido, grabado por iones reactivos, encapsulación de dispositivos y caracterización.
Algunos de los equipos destacados son los siguientes.
FIB-SEM (estaciones de trabajo Carl Zeiss AURIGA CrossBeam con un detector STEM) que permite el grabado asistido por electrones e iones, así como el crecimiento de capas metálicas y el ataque químico localizado mediante un GIS (sistema de inyección de gas). Además, la litografía de electrones e iones es posible gracias a un sistema generador de patrones de 16 bits de 400 MHz (Raith GmbH multibeam).
SEM de presión variable (Carl Zeiss Sigma Field Emission SEM), equipado con un detector EDX para análisis composicionales mediante rayos x.
Litografía óptica sin máscara (láser de 405 nm y mesa interferométrica, Heidelberg DWL66fs), con un tamaño mínimo en los motivos litogafiados de 600 nm y una precisión en la superposición de capas por debajo de 200 nm. Permite exponer muestras de 220 mm a 5 mm y la fabricación de máscaras de sombra en diferentes tipos de sustratos.
Litografía óptica con un alineador de máscaras (KLOÉ UV-KUB 3) que ofrece una alta velocidad con una resolución máxima de 1 um.
Crecimiento de capas metálicas y de óxido por evaporación por haz de electrones (Angstrom Evovac), pulverización (AJA ATC-Orion 5 UHV) y sistemas de depósito por capa atómica (Cambridge Nano Fiji200)
Ataque mediante iones reactivos (Plasma POD Sytem JLS y ICP-RIE Oxford Plasmalab 100), uno de ellos con refrigeración criogénica.
Ataque mediante iones reactivos (Plasma POD Sytem JLS y ICP-RIE Oxford Plasmalab 100), uno de ellos con refrigeración criogénica.
Equipo de plasma para limpieza, activación de superficies,etc (TEPLA 600).
Cableado para encapsulación de dispositivos mediante ultrasonidos (Wire Bonder TPT-HB100).
Sistema de medida de transporte electrónico con resolución en el rango de los nV y los pA (Mesa de medida a 4 puntas Everbeing Int’L Corp y analizador de parámetros Keithley 4200-SCS).
Horno ultra-rápido capaz de alcanzar 1000 C en unos 12 s. Permite realizar recocidos, cambios de estructura cristalina, pirolisis, en diferentes atmósferas gaseosas. Ofrece, además, la posibilidad de implementar procesos complejos con gran facilidad, combinando rampas de potencia, temperatura, cambio de gases, etc (AnnealSys AS-Micro).
Perfilómetro mecánico de alta precisión (Bruker Dektak XT).
Ataque y procesado de muestras en campanas húmedas, específicas para solventes-bases, ácidos, y procesos de litografía.
Ataque y procesado de muestras en campanas húmedas, específicas para solventes-bases, ácidos, y procesos de litografía.
Sierra de diamante para corte de materiales cerámicos y metálicos (Bruker) y marcador de punta de diamante de alta precisión para seccionado de obleas de silicio.
Microscopios ópticos (Leica DM750 y DM4000).
Microscopios ópticos (Leica DM750 y DM4000).